时代发展的步伐不允许摩尔定律停滞，全社会的数字化转型、AI对算力的贪婪需求、自动驾驶技术突飞猛进，都要求半导体制造工艺持续更快速地迭代。这个时间节点之下的关键技术热点便是GAAFET（和chiplet）。但台积电和Intel仍将在3nm节点上使用FinFET晶体管，台 ...

摘要:综述了后摩尔时代中两大发展热点:鳍式场效应晶体管(FinFET)纳电子学和基于量子计算新算法的量子芯片的发展历程和近两年的最新进展｡在FinFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展现状,包括FinFET的发展､10nm和7nm ...

从MOSFET到FinFET再到GAAFET，每当摩尔定律遭遇困境，总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。不同芯片巨头也在不同制程下争相加码新工艺。 MOSFET的工作原理为通过给金属层（M－金属铝）的栅极和隔着氧化层（O－绝缘层SiO2）的源极施加电压，产生 ...

平心而论，对于普通数码科技爱好者朋友来说，要理解FinFET工艺有点困难，因为这里面涉及大量的相关基础知识和术语，只有先理解这些基础知识和背景之后，才能深入理解。 二、基础知识 虽然芯片看起来很高大上，其实它的本质仍然是三极晶体管，由源极 ...

Li Y, Zhao F, Cheng X, Liu H, Zan Y, Li J, Zhang Q, Wu Z, Luo J, Wang W. Four-Period Vertically Stacked SiGe/Si Channel FinFET Fabrication and Its Electrical Characteristics. Nanomaterials (Basel).

FinFET(鳍式场效应晶体管)代表了半导体技术的一项革命性突破，与传统的平面MOSFET设计形成了显著区别。这种三维晶体管架构已成为现代半导体制造的基础，尤其是在器件尺寸不断缩小、性能和能效要求不断提升的背景下。Wteednc FinFET技术的发展历程跨越数十年 ...

FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor)，是由美籍华人科学家胡正明教授提出的，其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似，所以称为“鳍式”，而FET的全名是“场效电晶体” 。 FinFET是一种新的互补式金属氧半导体(CMOS)晶体管，源自于传统标准的晶体管 ...

十多年前，FinFET的出现重新定义了芯片设计。虽然这些非平面晶体管仍然是非官方的行业标准，但它们的寿命可能已接近尾声··· 十多年前，FinFET的出现重新定义了芯片设计。虽然这些非平面晶体管仍然是非官方的行业标准，但它们的寿命可能已接近尾声。

HSINCHU, Taiwan, R.O.C., Feb. 3, 2023 – TSMC today announced the launch of its “TSMC University FinFET Program,” aimed at developing future IC design talent for the industry and empowering academic ...

The IC industry entered the finFET era in 2011, when Intel leapfrogged the competition and rolled out the newfangled transistor technology at the 22nm node. Intel hopes to ramp up its ...

Usually, when we talk about nanometers it’s about the latest chipset. However, a Samsung team at the IEDM 2019 conference presented a technology promising 144MP image sensors based around 14nm FinFET ...